CVD/CVI氧化硅设备研制及工艺机理探索

日期:2006-08-31     浏览:3    下载:0     体积:2M     评论:0    


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传统方法制备的三向石英复合材料,烧结温度高、纤维损伤严重、材料抗热冲击和透波性能已无法满足高马赫数飞行器的要求,迫切需要探索新的制备技术。化学气相沉积(CVD)氧化硅具有与石英一致的非晶结构和电学性能,且制备温度低。因此,化学气相渗透法(CVI)制备连续纤维增强非晶氧化硅基透波材料有重要的研究价值。 为探索CVD/CVI非晶氧化硅工艺基础,借鉴国内外资料,本文研制了一套CVD/CVI设备,包括供气系统、真空系统、反应系统和尾气处理系统。利用该设备,本文研究了沉积温度、先驱体浓度对CVD沉积速率和CVI渗透性的影响,用XRD、EDS和SEM分析了CVD/CVI产物的物相、组分和显微结构,优化了先驱体和工艺参数。主要研究内容和结果如下: (1)CVD/CVI设备反应室温度控制精确,真空度可调,用吸附性好的活性炭进行尾气处理效果好,真空泵工作400小时无堵塞,满足了实验要求。 (2)乙烯基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的CVD/CVI过程为质量转移控制,可在550~750℃范围内沉积出非晶氧化硅。 (3)乙烯基三乙氧基硅烷在CVI过程中比正硅酸乙酯有更好的渗透性,更适合于制备复合材料。制备出的2DSiO2/SiO2复合材料,多次沉积面间无明显界线,基体之间的结合良好;断口上可以观察到明显的纤维拔出,并且为多层拔出,说明这种工艺沉积的基体和纤维具有合适的界面结合强度。 (4)在无氧条件下,CVD/CVI氧化硅中含有少量游离炭,从而试样的介电常数非常高。经大气环境中700℃处理20小时后游离炭氧化逸出,介电常数下降为2左右,满足透波要求。

作 者:
郑勇 
学科专业:
材料学 
授予学位:
硕士 
学位授予单位:
西北工业大学 
导师姓名:
张立同 
学位年度:
2005 
研究方向:
 
语 种:
chi 
基金项目:
 
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